近年のレーザー分光学や近接場光学の進歩に伴い，光触媒や光エネルギー変換を視野に入れた界面光分子科学の発展が著しい．実験的な知見が飛躍的に増大する一方で，対応する理論研究は遅れているのが現状である．従来用いられて来たクラスターモデル，スラブモデルが共に界面分子科学の諸現象の鍵を握る“光励起分子と金属・半導体表面の間の電子移動” を適切に記述することができないためである．本稿では，そのような界面電子移動の記述が可能なアプローチとして，筆者が提案している開放系電子状態理論を紹介する．